這是一款單相車載充電器（OBC）設(shè)計參考方案，該方案基于第三代功率半導(dǎo)體（SiC）碳化硅MOSFET(650V/80mohm)、碳化硅二極管650V/10A（SBD JBS）可實現(xiàn)系統(tǒng)高頻、高效（＞95%）及高功率密度，滿足AEC-Q車規(guī)可靠性認證。采用交錯BOOST PFC+LLC拓撲架構(gòu)，交錯開關(guān)機軟開關(guān)設(shè)計，減小損耗同時可以有效的改善系統(tǒng)EMC環(huán)境。該方案同時也可應(yīng)用與高端服務(wù)器電源、通訊電源、電池充電、航空航天等行業(yè)
